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联华电子与新思科技扩展14奈米FinFET伙伴关系纳入DesignWare嵌入式记忆体与测试解决方案

发布时间:2020-06-30 17:45:42 阅读: 来源:砂带厂家

联华电子与新思科技今(22)日共同宣布,双方拓展合作关系,于联华电子14奈米第二个PQV测试晶片上纳入新思科技DesignWare嵌入式记忆体IP与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。此PQV提供了更多硅资料,可让联华电子进一步微调其14奈米FinFET製程,以实现最佳化的功耗,效能与位面积表现。双方已成功设计定案了第一个联华电子14奈米FinFET製程PQV,包含了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC™ 寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool),而此次PQV则继续拓展伙伴关系。

本文引用地址:新思科技IP暨原型建造行销副总裁John Koeter指出:「新思科技与联华电子扩展的合作关系展现了双方共同的目标,也就是协助晶片设计公司在联华电子製程上,将我们的DesignWare硅智财结合到其系统单晶片设计上。现已有超过45颗FinFET测试晶片设计定案(tapeout),新思科技将持续倾全力致力于为FinFET製程提供高品质硅智财,使晶片设计公司能够降低整合风险,并加速量产时程。」

联华电子硅智财研发暨设计支援副总王国雍表示:「除了研发业界具竞争力的14奈米製程,以满足当今最尖端晶片应用产品的需求外,联华电子现正致力于建构相当完整的全方位支援架构,藉此加速14奈米客户design-in的速度。继联华电子与新思科技于14奈米製程上成功验证PQV后,很高兴在我们最先进的製程上与新思科技优质的DesignWare硅智财继续拓展合作。我们期待将这份伙伴关系所带来的好处提供给双方客户,协助採用14奈米进行设计的客户,能获得功耗,效能与成本上的优势。」

联华电子14奈米FinFET制程已展现了卓越的128mb SRMA良率,预期于2015年底接受客户设计定案(tape-out)。

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